CADモデル
製造元 Infineon BSP170PL6327HTSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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説明
Infineon BSP170PL6327HTSA1の詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 / P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
1.9 A 60 V 0.3 ohm P-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.9 A
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance410 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max300 mΩ
Turn-Off Delay Time92 ns
Turn-On Delay Time14 ns
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント