CADモデル
製造元 Infineon BSO211P のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-09-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-04-30
LTD Date2014-10-31
関連部品
説明
Infineon BSO211Pの詳細は販売業者から提供されます。
Transistor MOSFET Array Dual P-Channel 20V 4.7A 8-Pin DSO
4.7 A 20 V 0.067 ohm 2 CHANNEL P-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 20V, 0.067ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.7 A
Current Rating-4.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance67 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time23.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance920 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max67 mΩ
Rise Time10.6 ns
Turn-Off Delay Time26.3 ns
Turn-On Delay Time7.8 ns
Voltage Rating (DC)-20 V