CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-10-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2022-10-15
LTD Date2023-04-15
関連部品
説明
Infineon IRF7301TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。
Dual N-Channel 20V 0.05 Ohm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC / Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
Transistor MOSFET 2xN-Ch. 5,2A/20V SO8 IRF 7301 TRPBF
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current, Id:5.2A; Package/Case:8-SOIC; Power Dissipation, Pd:2W; Drain Source On Resistance @ 2.7V:70mohm; Drain Source On Resistance @ 4.5V:50mohm ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Dual / Continuous Drain Current (Id) A = 5.7 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 50 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 51 / Rise Time ns = 42 / Turn-OFF Delay Time ns = 32 / Turn-ON Delay Time ns = 9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.3 A
Current Rating5.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time51 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance660 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance50 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max50 mΩ
Resistance50 mΩ
Rise Time42 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage700 mV
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm