Infineon BSO080P03NS3EGXUMA1

Name: Infineon BSO080P03NS3EGXUMA1
Brand: Infineon
SKU: BSO080P03NS3EGXUMA1

Transistor Mosfet P-ch 30V 12A 8-PIN SOIC T/r

$ 0.384

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		BSO080P03NS3EGXUMA1	15,850					0.462	0.384	0.342	7h
Farnell	2	BSO080P03NS3EGXUMA1	0	1	Cut Tape	1.000*	0.790*	0.593*	0.446*	0.446*	7h
Win Source		WS-BSO080P03NS3EGXUMA1	290	90				0.672	0.448	0.448	7h
Worldway Electronics	2	BSO080P03NS3EGXUMA1	10,581	7	Tape & Reel		0.139	0.136	0.131	0.128	8h
Verical	2	BSO080P03NS3EGXUMA1	2,500	721					0.480	0.428

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部品

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InfineonBSO080P03NS3EGXUMA1

InfineonBSO080P03NS3GXUMA1

Price @ 1000

$ 0.384

$ 0.422

Stock

269,646

892,271

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

Drain to Source Voltage (Vdss)

-30 V

Continuous Drain Current (ID)

9.8 A

12 A

Threshold Voltage

Rds On Max

8 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

25 V

Power Dissipation

1.6 W

Input Capacitance

4.5 nF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2009-05-26

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2019-11-15

LTD Date2020-05-15

説明

Infineon BSO080P03NS3EGXUMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R

Avnet Japan

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs, PG-DSO-8, RoHS

Infineon SCT

1.6W(Ta) 25V 3.1V@ 150¦ÌA 81nC@ 10 V 1P 30V 8m¦¸@ 14.8A,10V 12A 6.75nF@15V SOP 5mm

Unikeyic (ICkey)

Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

BSO080P03 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSF;

Farnell

12A, 30V, 0.008OHM, P-CHANNEL,

DigiKey

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

Infineon