CADモデル
製造元 Infineon BSC0908NS のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-08-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
InfineonIRFHM8329TRPBF
Single N-Channel 30 V 6.1 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
InfineonIRFH8330TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
NXP SemiconductorsPSMN7R5-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
説明
Infineon BSC0908NSの詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 34V, 0.0127ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
BSC0908 - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,;
N-CHANNEL POWER MOSFET
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage34 V
Drain to Source Resistance12.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)34 V
Fall Time2.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.22 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage34 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time2.6 ns
Turn-Off Delay Time16.4 ns
Turn-On Delay Time4.6 ns