Infineon BSC0906NSATMA1

Name: Infineon BSC0906NSATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC0906NSATMA1

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8

$ 0.225

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	BSC0906NSATMA1	9,275	5	Cut Tape		0.572	0.370	0.282	0.282
Future Electronics	2	BSC0906NSATMA1	5,000	5K	Tape & Reel					0.255
Arrow Electronics	3	BSC0906NSATMA1	13,627	1		0.727	0.459	0.331	0.237	0.187
Rochester Electronics		BSC0906NSATMA1	3,288					0.212	0.176	0.157	1h
DigiKey	3	BSC0906NSATMA1CT-ND	2,653	1	Cut Tape	0.890	0.555	0.359	0.248	0.225

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-06-16

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

説明

Infineon BSC0906NSATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8

Epart123

Trans MOSFET N-CH 30V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Verical

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Surface Mount

EBV Elektronik

18 A 30 V 0.0064 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET

Component Stockers USA

2.5KW 20V 2V 6.7nC@ 4.5V,13nC@ 10V 1N 30V 4.5m¦¸@ 10V 63A 870pF@ 15V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Semicontronic

OptiMOS™ 30V in SuperSO8 package, PG-TDSON-8, RoHS

Infineon SCT

BSC0906 - 12V-300V N-CHANNEL POW

Vigor Components

Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 30V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in half-bridge configuration (power stage 5x6).

Infineon