Infineon BSC030N08NS5ATMA1

Name: Infineon BSC030N08NS5ATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC030N08NS5ATMA1

2.5KW 20V 3.8V 61NC@ 10V 1N 80V 3M¦¸@ 10V 100A 4.3NF@ 40V Tdson(ep) , 5.15MM*590CM*1MM

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	BSC030N08NS5ATMA1	7,008	1	Cut Tape	3.190	2.020	1.390	1.280	1.280
Arrow Electronics		BSC030N08NS5ATMA1	10,000	1		2.160	1.600	0.881	0.881	0.881
Future Electronics	2	BSC030N08NS5ATMA1	15,000	5K	Tape & Reel					0.905
Rutronik		TMOS2340	5,000	5K						0.825	7h
DigiKey	3	BSC030N08NS5ATMA1CT-ND	13,132	1	Cut Tape	3.130	2.025	1.398	1.082	0.884

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-11-10

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon BSC030N08NS5ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

2.5KW 20V 3.8V 61nC@ 10V 1N 80V 3m¦¸@ 10V 100A 4.3nF@ 40V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm

Unikeyic (ICkey)

Mosfet, N-Ch, 80V, 100A, 150Deg C, 139W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:80V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC030N08NS5ATMA1

Newark

OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially designed for Synchronous Rectification for telecom and server power supplies. In addition, the device can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapter. Within seven different packages, the OptiMOS™ 5 80 V MOSFETs offer the industry’s lowest RDS(on). Additionally, compared to the previous generation, OptiMOS™ 5 80 V has an RDS(on) reduction of up to 43%.

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