Infineon BSC014N04LSIATMA1

Name: Infineon BSC014N04LSIATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC014N04LSIATMA1

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Surface Mount

$ 0.958

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		BSC014N04LSIATMA1	10,000	5K						0.703	1d
Newark	2	BSC014N04LSIATMA1	21,863	5	Cut Tape		1.990	1.420	1.340	1.340
Arrow Electronics	2	BSC014N04LSIATMA1	4,800	1		2.559	2.559	2.559	2.559	2.559
Future Electronics	2	BSC014N04LSIATMA1	20,000	5K	Tape & Reel					0.805
Rutronik		TMOSP10879	5,000	5K						0.720	19h

在庫履歴

3か月間の傾向 : -7.78%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon BSC014N04LSIATMA1のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

element14 APAC

Datasheet11ページ12年前

Infineon SCT

IHS

在庫履歴

3か月間の傾向:

-7.78%

CADモデル

製造元 Infineon BSC014N04LSIATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA		3D	ダウンロード
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

部品

代替部品

InfineonBSC014N04LSIATMA1

InfineonBSC014N04LSATMA1

Price @ 1000

$ 0.958

$ 0.785

Stock

824,073

1,005,805

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

Drain to Source Voltage (Vdss)

40 V

Continuous Drain Current (ID)

31 A

32 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

1.45 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

2.5 W

96 W

Input Capacitance

4 nF

4.3 nF

サプライチェーン

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-02-06

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon BSC014N04LSIATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Surface Mount

EBV Elektronik

New 40V and 60V product families, feature not only the industry’s lowest R DS(on) but also a perfect switching behavior for fast switching applications. 15% lower R DS(on) and 31% lower figure of merit (R DS(on) x Q g) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology.

Infineon

MOSFET, N-CH, 40V, 100A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Po

element14 APAC

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 195 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 40 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 2 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 11 / Rise Time ns = 50 / Turn-OFF Delay Time ns = 55 / Turn-ON Delay Time ns = 16 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TDSON-8 FL / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 96

Distrelec