価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | BCR133E6327HTSA1 | 27,000 | 9h | |||||||||
| Newark | BCR133E6327HTSA1 | 0 | 39K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BCR133E6327HTSA1 | 0 | 39K | 1d | ||||||||
| Future Electronics | BCR133E6327HTSA1 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | BCR133E6327HTSA1 | 0 | 39K |
CADモデル
製造元 Infineon BCR133E6327HTSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.046
$ 0.032
$ 0.032
Stock
1,805,407
71,970,569
71,970,569
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
130 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
250 mV
250 mV
hFE Min
30
35
35
Power Dissipation
200 mW
246 mW
246 mW
サプライチェーン
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-08-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-12-31
LTD Date2020-12-31
関連部品
Diodes Inc.DNBT8105-7
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.BC847B-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.BC846B-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
説明
Infineon BCR133E6327HTSA1の詳細は販売業者から提供されます。
BCR133 Series NPN 50 V 100 mA SMT Silicon Digital Transistor - SOT-23-3
NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) / Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
NPN SILICON DIGITAL TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Rf Trans, Npn, 50V, 0.1A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BCR133E6327HTSA1
Digital Transistor NPN 100mA 10K SOT23
RS APAC
BRT Transistor, 50V, 10K/10K, SOT-23-3; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm;
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)10 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min30
Input Resistance10 kΩ
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency130 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height900 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント