Infineon AUIRLS3036

Name: Infineon AUIRLS3036
Brand: Infineon
SKU: AUIRLS3036

MOSFET, N-CH, 60V, 270A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain

$ 2.04

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	AUIRLS3036	30					2.280	2.040	1.920	8h
RS (Formerly Allied Electronics)	AUIRLS3036	0	3K	Bulk					2.790	1d
Farnell	AUIRLS3036	0	1		6.471*	5.016*	3.970*	3.236*	3.236*	1d
Worldway Electronics	AUIRLS3036	18,782	7	Tube		0.699	0.677	0.642	0.642	8h
Aztech	AUIRLS3036	707			15.990	15.990	15.990	15.990	15.990	4h

在庫履歴

3か月間の傾向 : +0.00%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon AUIRLS3036のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet10ページ10年前

Datasheet12ページ12年前

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

在庫履歴

3か月間の傾向:

+0.00%

CADモデル

製造元 Infineon AUIRLS3036 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

部品

代替部品

InfineonAUIRLS3036

InfineonIRLS3036TRLPBF

Price @ 1000

$ 2.04

$ 1.639

Stock

53,681

256,726

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

195 A

Threshold Voltage

1 V

2.5 V

Rds On Max

2.4 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Power Dissipation

380 W

Input Capacitance

11.21 nF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-08-23

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon AUIRLS3036の詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, N-CH, 60V, 270A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain

Newark

Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-PAK Package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Transistor MOSFET N-ch 60V 190A D2PAK

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Avnet

AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Braking

Infineon

MOSFET, N-CH, 60V, 270A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:380W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C

Farnell