価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | AUIRFS3006-7P | 31 | 6h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | AUIRFS3006-7P | 0 | 1600 | Bulk | 23h | |||||||
| Avnet | AUIRFS3006-7P | 0 | 2K | 8h | ||||||||
| Farnell | AUIRFS3006-7P | 0 | 2K | 5h | ||||||||
| Win Source | WS-AUIRFS3006-7P | 3,000 | 10 | 7h |
CADモデル
製造元 Infineon AUIRFS3006-7P のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
関連部品
InfineonIRFS7530TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronicsSTH240N75F3-6
N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) III Power MOSFET in H2PAK-6 package
STMicroelectronicsSTH260N6F6-6
N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package
説明
Infineon AUIRFS3006-7Pの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET, N-CH, 60V, 293A, D2PAK-7P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7p Package
Transistor MOSFET N-ch 60V 207A D2PAK-7
Trans MOSFET N-CH 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
Benefits: Advanced Process Technology; Ultra Low On-Resistance; Dynamic dV/dT Rating; 175C Operating Temperature; Fast Switching; Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax; Lead-Free, RoHS Compliant; Automotive Qualified
MOSFET, N-CH, 60V, 293A, D2PAK-7P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:240A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1500µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:375W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; No. of Pins:7; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)240 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time69 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.85 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Package Quantity50
Power Dissipation375 W
Rds On Max2.1 mΩ
Rise Time61 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time118 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm