価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | AUIRFR5305TR | 2,000 | 1 | |||||||||
| Rochester Electronics | AUIRFR5305TR | 521 | 1d | |||||||||
| DigiKey | 448-AUIRFR5305CT-ND | 521 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Farnell | AUIRFR5305TR | 7,281 | 5 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Mouser | 942-AUIRFR5305TR | 7,863 | 1 | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 Infineon AUIRFR5305TR のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 1.358
$ 0.576
$ 0.576
Stock
194,162
4,184,228
4,184,228
Authorized Distributors
5
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
-55 V
-55 V
-55 V
Continuous Drain Current (ID)
31 A
31 A
31 A
Threshold Voltage
-
-4 V
-4 V
Rds On Max
65 mΩ
65 mΩ
65 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
110 W
89 W
89 W
Input Capacitance
1.2 nF
1.2 nF
1.2 nF
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-12-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-03-31
LTD Date2023-09-30
関連部品
STMicroelectronicsSTD60N55F3
N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in DPAK package
説明
Infineon AUIRFR5305TRの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET, N-CH, 55V, 31A, TO-252; Available until stocks are exhausted Alternative available
Trans MOSFET P-CH 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Advanced Planar TechnologyLow On-ResistanceDynamic dv/dt Rating175C Operating TemperatureFast SwitchingFully Avalanche RatedRepetitive Avalanche Allowed up to TjmaxLead-Free, RoHS CompliantAutomotive Qualified
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time63 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max65 mΩ
Rise Time66 ns
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height2.52 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント