価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | AUIRFR2407 | 0 | 1 | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | AUIRFR2407 | 0 | 3K | Bulk | 12h | |||||||
| Avnet | AUIRFR2407 | 0 | 3K | 4d | ||||||||
| Farnell | AUIRFR2407 | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Worldway Electronics | AUIRFR2407 | 17,561 | 7 | Tube | 1d |
CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 1.43
$ 0.664
$ 0.664
Stock
28,502
598,306
598,306
Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
30 A
30 A
Threshold Voltage
2 V
-
-
Rds On Max
26 mΩ
26 mΩ
26 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
110 W
110 W
110 W
Input Capacitance
2.4 nF
2.4 nF
2.4 nF
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
InfineonAUIRFR2607Z
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
VishaySQD30N05-20L_GE3
VISHAY SQD30N05-20L -GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 55 V, 0.016 ohm, 10 V, 2 V
説明
Infineon AUIRFR2407の詳細は販売業者から提供されます。
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 75V, 42A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0218ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Fall Time66 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max26 mΩ
Rise Time90 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm