CADモデル
製造元 onsemi SGS6N60UFDTU のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
onsemiSGS13N60UFDTU
Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
STMicroelectronicsSTGP5H60DF
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S / IGBT Trench Field Stop 600 V 10 A 88 W Through Hole TO-220
説明
onsemi SGS6N60UFDTUの詳細は販売業者から提供されます。
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT 600V 6A 22W TO220F
IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL
IGBTs 600V/3A/w/FRD
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time300 ns
Max Collector Current6 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation9 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation22 W
Reverse Recovery Time35 ns
Voltage Rating (DC)600 V