価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FQPF1N50 | 91 | 10h | |||||||||
| Microchip USA | FQPF1N50 | 305 | 3500 | Tray | 1d | |||||||
| Worldway Electronics | FQPF1N50 | 21,882 | 7 | Tube | 8h | |||||||
| Vigor Components | FQPF1N50 | 10 | 4h | |||||||||
| QUARKTWIN TECHNOLOGY LTD | FQPF1N50 | 連絡先 | >1wk |
CADモデル
製造元 onsemi FQPF1N50 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2007-02-28
LTD Date2007-08-29
関連部品
STMicroelectronicsSTP5NK50ZFP
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonIPA50R950CEXKSA2
CoolMOS CE Series N-Channel 500 V 3.7 A (Tc) 25.7 W (Tc) MOSFET - PG-TO220-FP
onsemiFDPF5N50TYDTU
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
説明
onsemi FQPF1N50の詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET N-CH 500V 0.9A TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 500V 900MA TO220F
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)900 mA
Current Rating1.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance9 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance150 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation16 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation16 W
Rds On Max9 Ω
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)500 V