CADモデル
製造元 STMicroelectronics STP5NK50ZFP のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTP5NK60ZFP
N-CHANNEL 600V - 1.2 Ohm - 5A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
VishaySIHF5N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
説明
STMicroelectronics STP5NK50ZFPの詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP package
Ciiva
N-Channel 500V - 1.22 Ohm - 4.4A Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET
STP5NK50 Series 500 V 4.4 A 1.5 Ohm Through Hole N-Ch Power MOSFET - TO-220FPAB
Trans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
70W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 28nC@ 10 V 1individualNChannel 500V 1.5¦¸@ 2.2A,10V 4.4A 535pF@25V TO-220FP Through hole mounting 10.4mm*4.6mm*9.3mm
MOSFET, N, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.4A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 1.22ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipa
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance535 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height6.35 mm
Length2.54 mm
Width6.35 mm