CADモデル
製造元 onsemi FQI6N40CTU のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
説明
onsemi FQI6N40CTUの詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs N-CH/400 /6A/CFET
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Current Rating6 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance625 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation73 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation73 W
Rds On Max1 Ω
Rise Time65 ns
Turn-Off Delay Time21 ns
Voltage Rating (DC)400 V