CADモデル
製造元 onsemi FQB5P10TM のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
説明
onsemi FQB5P10TMの詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET P-CH 100V 4.5A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET P-CH 100V 4.5A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
P-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 100V P-Channel QFET
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Current Rating-4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance1.05 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance250 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max1.05 Ω
Rise Time70 ns
Turn-Off Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)-100 V