Diodes Inc. ZVP2106G

Name: Diodes Inc. ZVP2106G
Brand: Diodes Inc.
SKU: ZVP2106G

Trans MOSFET P-CH 60V 0.45A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223

$ 0.601

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	ZVP2106G	1,591	1	Cut Tape	1.200	1.050	0.759	0.759	0.759
Component Stockers USA		ZVP2106G	1,361			1.040	0.900	0.640	0.490	0.490	>1wk
Win Source		WS-ZVP2106G	10,000	90				0.583	0.389	0.389	15h
Worldway Electronics		ZVP2106G	289,790	7			0.637	0.625	0.601	0.589	15h
UnikeyIC		ZVP2106G	1,511	20				0.775	0.527	0.527	14h

在庫履歴

3か月間の傾向 : -17.82%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Diodes Inc. ZVP2106Gのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Newark

Datasheet3ページ19年前

Datasheet6ページ11年前

Datasheet6ページ12年前

IHS

element14

Diodes Inc SCT

在庫履歴

3か月間の傾向:

-17.82%

CADモデル

製造元 Diodes Inc. ZVP2106G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

部品

代替部品

Diodes Inc.ZVP2106G

Diodes Inc.ZVP2106GTA

Price @ 1000

$ 0.601

$ 0.456

Stock

333,406

979,605

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-223

Drain to Source Voltage (Vdss)

-60 V

Continuous Drain Current (ID)

450 mA

Threshold Voltage

-3.5 V

Rds On Max

5 Ω

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

2 W

Input Capacitance

100 pF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-03-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

説明

Diodes Inc. ZVP2106Gの詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET P-CH 60V 0.45A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223

Verical

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 60V VDS, 20±V VGS

Diodes Inc SCT

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

200mW 20V 60V 5¦¸@ 10V 100pF(Max) @ 18V SOT 6.7mm

Unikeyic (ICkey)

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

Win Source

MOSFET, P SOT-223; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 450mA; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd:

Farnell

; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current, Id:0.45A; On Resistance, Rds(on):5ohm; Package/Case:SOT-223; Termination Type:SMD; Power Dissipation, Pd:2W; Current, Idm pulse:4A ;RoHS Compliant: Yes

Newark