Diodes Inc. ZTX853

Name: Diodes Inc. ZTX853
Brand: Diodes Inc.
SKU: ZTX853

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

$ 0.58

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		ZTX853	3,358	1		1.750	1.130	0.818	0.640	0.639
DigiKey		ZTX853-ND	4,296	1	Bulk	1.880	1.196	0.803	0.580	0.464
Onlinecomponents.com		ZTX853	1	1	Bulk	3.690	3.690	1.650	0.518	0.459
TME	2	ZTX853	3,540	1		1.534	0.965	0.648	0.474	0.458	1d
Avnet		ZTX853	0	4K						0.381	13h

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Diodes Inc.ZTX853

Diodes Inc.ZTX853STZ

Price @ 1000

$ 0.58

$ 0.526

Stock

265,756

51,479

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-92

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

100 V

Max Collector Current

4 A

Transition Frequency

130 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

200 mV

hFE Min

100

Power Dissipation

1.2 W

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1994-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2026-10-28

LTD Date2027-04-28

説明

Diodes Inc. ZTX853の詳細は販売業者から提供されます。

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Semicontronic

ZTX853 Series NPN 4 A 100 V Silicon Planar Medium Power Transistor - TO-92-3

Future Electronics

Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power

Digi-ic_SMART PIONEER

200mV@ 400mA,4A NPN 1.2W 6V 50nA 200V 100V 4A EP-3SC , 4.57mm*2.28mm*3.9mm

Unikeyic (ICkey)

TRANSISTOR, NPN, E-LINE; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:100V; Typ Gain Bandwidth ft:130MHz; Power Dissipation Pd:1.2W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature ;RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANSISTOR, NPN, E-LINE; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:1.2W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Range:-55°C to +200°C; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:200mV; Continuous Collector Current Ic Max:4A; Current Ic @ Vce Sat:4A; Current Ic Continuous a Max:4A; Current Ic hFE:2A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Typ:130MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:1.2W; Power Dissipation Ptot Max:1.2W; Pulsed Current Icm:10A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:200V

element14 APAC