CADモデル
製造元 Diodes Inc. MMDT3906-7-F のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.092
$ 0.038
$ 0.038
Stock
3,946,824
12,915,649
12,915,649
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-363
SOT-363-6
SOT-363-6
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-400 mV
-400 mV
-400 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
200 mW
150 mW
150 mW
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-05-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
関連部品
Diodes Inc.MMDT3946-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual, Complementary NPN and PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 200 mW
Diodes Inc.DMMT3906W-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.MMDT4413-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual, Complementary NPN and PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
説明
Diodes Inc. MMDT3906-7-Fの詳細は販売業者から提供されます。
MMDT3906 Series Dual PNP 40 V 200 mW Small Signal Transistor SMT - SOT-363
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
40V 200mW 100@10mA,1V 200mA PNP SOT-363 Bipolar (BJT) ROHS
Bipolar Transistor Array, Dual, Dual PNP, 40 V, 200 mA
BIPOLAR TRANSISTOR DUAL PNP SOT-363 ROHS 3K<AZ
Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max Npn:-; Collector Emitter Voltage Max Pnp:-40V; Continuous Collector Current Npn:-; Continuous Collector Current Pnp:200Ma; Power Dissipation Npn:-; Power Dissipation Pnp:200Mw Rohs Compliant: No |Diodes Inc. MMDT3906-7-F.
TRANSISTOR, PNP/PNP, SOT363; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Collector Emitter Voltage Vces:-400mV; Current Ic Continuous a Max:-200mA; Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-363; Power Dissipation Pd:200mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Small Signal
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Continuous Collector Current-200 mA
Current Rating-200 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency250 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント