CADモデル
製造元 Diodes Inc. MMDT3904-7-F のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | シンボルフットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
代替部品
Price @ 1000
$ 0.06
$ 0.032
$ 0.032
Stock
13,637,328
12,733,525
12,733,525
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-363
SOT-363-6
SOT-363-6
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
300 mV
300 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
200 mW
150 mW
150 mW
関連部品
Diodes Inc.MMDT3946-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual, Complementary NPN and PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 200 mW
Diodes Inc.MMDT4413-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual, Complementary NPN and PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
Diodes Inc.DCX123JU-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
説明
Diodes Inc. MMDT3904-7-Fの詳細は販売業者から提供されます。
Transistor General Purpose BJT NPN 40 Volt 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363
MMDT3904 Series Dual NPN 40 V 200 mW Small Signal Transistor SMT - SOT-363-6
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
DIODES INC. - MMDT3904-7-F - Bipolar Transistor Array, NPN, 40 V, 200 mW, 200 mA, 100 hFE, SOT-363
TRANSISTOR, NPN/NPN, SOT363; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: 200mA; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transistor Case Style: SOT-363; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 300mV; Current Ic Continuous a Max: 200mA; Gain Bandwidth ft Typ: 300MHz; Hfe Min: 100; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Small Signal
Transistor, Npn, Dual, 40V, 200Ma, 200Mw, Sot-363; Transistor Polarity:Dual Npn; Collector Emitter Voltage Max Npn:40V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:-; Continuous Collector Current Npn:200Ma; Continuous Collector Current Pnp:- Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. MMDT3904-7-F
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Continuous Collector Current200 mA
Current Rating200 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Turn-Off Delay Time250 ns
Turn-On Delay Time70 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント