価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP6110SSS-13 | 906 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMP6110SSS-13 | 42 | 42 | |||||||||
| Verical | DMP6110SSS-13 | 42 | 42 | |||||||||
| Future Electronics | DMP6110SSS-13 | 15,000 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | DMP6110SSS-13DICT-ND | 13,954 | 1 | Cut Tape |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMP6110SSS-13 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
Diodes Inc.DMN6070SSD-13
DMN6070 Series 60 V 3.3 A 80 mOhm Dual N-Ch. Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
VishaySI9945BDY-T1-GE3
SI9945BDY Series 60V 0.058 Ohm 20nC Dual N-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMT6016LSS-13
DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
説明
Diodes Inc. DMP6110SSS-13の詳細は販売業者から提供されます。
P-Channel 60 V 4.5 A 110 mO 19.4 nC Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Surface Mount
Mosfet, P-Ch, 60V, 4.5A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP6110SSS-13
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Capacitance1.03 nF
Continuous Drain Current (ID)-4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.03 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max110 mΩ
Rise Time6.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time58.7 ns
Turn-On Delay Time3.7 ns