価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | DMN6070SSD-13 | 4 | 4 | |||||||||
| TME | DMN6070SSD-13 | 0 | 1 | 16h | ||||||||
| Newark | DMN6070SSD-13 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMN6070SSD-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN6070SSD-13 | 0 | 20 | Bulk | 9h |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMN6070SSD-13 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
Diodes Inc.DMT6016LSS-13
DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
説明
Diodes Inc. DMN6070SSD-13の詳細は販売業者から提供されます。
DMN6070 Series 60 V 3.3 A 80 mOhm Dual N-Ch. Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Mosfet, Dual, N-Ch, 60V, 3.3A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN6070SSD-13
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 3.3 A, 3.3 A, 0.068 ohm
MOSFET DUAL N-CH 60V 4.1A ENHANC. SOIC8
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DiodesZetex NMOS, Vds=60 V, 4.1 A, SOIC, , 8
Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 60V, 3.3A;
MOSFET, DUAL, N-CH, 60V, 3.3A;
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance588 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max80 mΩ
Rise Time4.1 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time3.5 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm