価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMP3105LVT-7 | 3,000 | 3K | 3d | ||||||||
| Newark | DMP3105LVT-7 | 2,150 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMP3105LVT-7 | 480,720 | 422 | |||||||||
| Verical | DMP3105LVT-7 | 480,720 | 422 | |||||||||
| DigiKey | DMP3105LVT-7DICT-ND | 7,319 | 1 | Cut Tape |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMP3105LVT-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
関連部品
onsemiCPH6341-TL-W
P-Channel Power Mosfet, -30V, -5A, 59M/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi CPH6341-TL-W
Diodes Inc.DMP3065LVT-7
DMP Series 30 V 42 mOhm 1.6 W SMT P-Channel Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
説明
Diodes Inc. DMP3105LVT-7の詳細は販売業者から提供されます。
Mosfet, P-Ch, 30V, 3.1A, Tsot-26 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP3105LVT-7
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.1 A, 0.065 ohm, TSOT-26, Surface Mount
1.15W(Ta) 12V 1.5V@ 250¦ÌA 19.8nC@ 10 V 1P 30V 75m¦¸@ 4.2A,10V 3.1A 839pF@15V TSOT-26
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.1 A
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time64 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance839 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.75 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.75 W
Rds On Max75 mΩ
Resistance75 mΩ
Rise Time17.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time269 ns
Turn-On Delay Time9.7 ns
Dimensions
Height900 µm
Length2.9 mm
Width1.6 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント