価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP2200UDW-7 | 20 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMP2200UDW-7DICT-ND | 243 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMP2200UDW-7 | 105,000 | 3K | |||||||||
| Verical | DMP2200UDW-7 | 3,000 | 3K | |||||||||
| TME | DMP2200UDW7-DIO-0 | 3,000 | 3K | 21h |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMP2200UDW-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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関連部品
onsemiNTJD2152PT1G
Small Signal MOSFET 8V 775mA 300 mOhm Dual P-Channel SC−88/SC70−6/SOT−363 with ESD Protection
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説明
Diodes Inc. DMP2200UDW-7の詳細は販売業者から提供されます。
Dual Mosfet, P-Ch, 20V, 0.9A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2200UDW-7
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
Avnet Japan
Single P-Channel 20 V 1000 mOhm 2.1 nC 0.6 mW Silicon SMT Mosfet - SOT-363
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm
Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20V VDS, 8±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A
Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 20V, 0.26ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)900 mA
Drain to Source Resistance260 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance184 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation600 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Rds On Max260 mΩ
Rise Time88 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time24.4 ns
Turn-On Delay Time9.8 ns