価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN53D0LDW-13 | 5,340 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN53D0LDW-13DICT-ND | 31 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN53D0LDW-13 | 0 | 10K | 9h | ||||||||
| Future Electronics | DMN53D0LDW-13 | 0 | 10K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DMN53D0LDW-13 | 0 | 10K | 12h |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMN53D0LDW-13 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
説明
Diodes Inc. DMN53D0LDW-13の詳細は販売業者から提供されます。
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 50V 360mA 6-Pin SOT-363 T/R
Mosfet, Dual, N-Ch, 50V, 0.36A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN53D0LDW-13
50V 360 mA 310 mW 2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOT-363
310mW 20V 1.5V@ 250¦ÌA 0.6nC@ 4.5V 2N 50V 1.6¦¸@ 500mA,10V 360mA 46pF@25V SOT-363
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.36A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, DUAL, N-CH, 50V, 0.36A;
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 50V, 0.36A;
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)360 mA
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Element ConfigurationDual
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance46 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation310 mW
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max1.6 Ω
Rise Time2.5 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time2.7 ns