Diodes Inc. B1100-13-F

Name: Diodes Inc. B1100-13-F
Brand: Diodes Inc.
SKU: B1100-13-F

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC

$ 0.147

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		B1100-13-F	60,000	5K						0.039	2d
Newark		B1100-13-F	142	1	Cut Tape	0.297	0.215	0.192	0.153	0.153
Verical	4	B1100-13-F	45,000	5K						0.085
Arrow Electronics	3	B1100-13-F	2	1		0.259	0.259	0.259	0.259	0.259
Future Electronics	2	B1100-13-F	190,000	5K	Tape & Reel					0.081

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IHS

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Newark

Upverter

RS (Formerly Allied Electronics)

element14 APAC

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部品

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Diodes Inc.B1100-13-F

VishaySS1H10-E3/61T

Price @ 1000

$ 0.147

$ 0.15

Stock

4,854,605

3,581,498

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SMA

Forward Voltage

690 mV

620 mV

Reverse Voltage (DC)

Forward Current

1 A

Max Reverse Leakage Current

1 µA

Reverse Recovery Time

Capacitance

80 pF

サプライチェーン

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

説明

Diodes Inc. B1100-13-Fの詳細は販売業者から提供されます。

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC

IHS

DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA / Rectifier Diode Schottky 100V 1A 2-Pin SMA T/R

Win Source

B1100 Series 100 V 1 A Surface Mount Schottky Barrier Rectifier - DO-214AC

Future Electronics

Schottky Rectifier, 100 V, 1 A, Single, DO-214AC (SMA), 2 Pins, 850 mV

Avnet

DIODE SCHOTTKY 1A 100V SMA-DIODE-RECT ZE

Component Sense

DIODE, REC, SCHOTTKY, 100V, 1A, SMA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:100V; Forward Current If(AV):1A; Diode Configuration:Single; Case

element14 APAC

DIODE, REC, SCHOTTKY, 100V, 1A, SMA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 100V; Forward Current If(AV): 1A; Diode Configuration: Single; Diode Case Style: SMD; No. of Pins: 2Pins; Forward Voltage VF Max: 790mV; Forward Surge Current Ifsm Max: 30A; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: B1100 Series; Automotive Qualification Standard: -; SVHC: Lead (15-Jan-2019); Diode Type: Schottky; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +150°C; Semiconductor Technology: Si

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