Vishay SUM90140E-GE3
$ 1.59
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SUM90140E-GE3CT-ND | 777 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SUM90140E-GE3 | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| TTI | SUM90140E-GE3 | 0 | 800 | Tape & Reel | 8h | |||||||
| Newark | SUM90140E-GE3 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI Europe | SUM90140E-GE3 | 1600 | 800 | Tape & Reel | 9h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +11.84%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SUM90140E-GE3.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta |
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InfineonIPB108N15N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 83 A, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SUM90140E-GE3 fornite dai suoi distributori.
VISHAY SUM90140E-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 200 V, 0.0138 ohm, 10 V, 4 VNew
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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Mosfet, N-Ch, 200V, 90A, 175Deg C, 375W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:90A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Vishay SUM90140E-GE3
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +11.84%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation375 W
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Schede tecniche e documenti
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