Infineon IPB072N15N3GATMA1

Power MOSFET, N Channel, 150 V, 100 A, 72 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
$ 1.434
Production
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPB072N15N3GATMA1.

IHS

Datasheet11 pagine15 anni fa
Datasheet11 pagine15 anni fa

element14 APAC

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-4.12%

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon IPB072N15N3GATMA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
3DScarica
EE Concierge
SimboloImpronta
SnapEDA
Impronta
3DScarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-05-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Parti correlate

Power MOSFET, N Channel, 150 V, 83 A, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
onsemiFDB8832
N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 30V, 80A, 2.1mΩ
onsemiFDB8441
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET P-CH 60V 120A TO263 / Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPB072N15N3GATMA1 fornite dai suoi distributori.

Power MOSFET, N Channel, 150 V, 100 A, 72 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
OPTIMOS3 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 150V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
The 150 V OptiMOS™ achieves a reduction in RDS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor.This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
MOSFET, N CH, 100A, 150V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):5.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPB072N15N3 G
  • IPB072N15N3-G
  • IPB072N15N3.G
  • IPB072N15N3G
  • IPB072N15N3_G
  • SP000386664