Vishay SUM110P06-07L-E3
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-09-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
VishaySUM90N10-8M2P-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK
VishaySUM110N10-09-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
InfineonIPB027N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
VishaySUM110P04-05-E3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 110 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
InfineonIPB029N06N3GATMA1
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SUM110P06-07L-E3 fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 110 A, 0.0069 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEGREE CENTIGRADE MOSFET Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0069ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET,P CH,60V,110A,D2PAK; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):5.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:3.75W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; Current Id Max:-110A; Power Dissipation Pd:3.75W; Voltage Vgs Max:-20V
P Channel Mosfet, -60V, 11A, To-263, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:20V; Gate Source Threshold Voltage Max:3Vrohs Compliant: Yes |Vishay SUM110P06-07L-E3.
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +79.04%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.946308 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance6.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time240 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.4 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max6.9 mΩ
Resistance6.9 MΩ
Rise Time160 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.41 mm
Width9.65 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità