Infineon IPB027N10N3GATMA1

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
$ 2.126
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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IPB027N10N3GATMA116851Cut Tape
Arrow Electronics
3
IPB027N10N3GATMA116161
RutronikTMOSP947221.0001K
4h
Rochester ElectronicsIPB027N10N3GATMA11000
21h
DigiKey
3
IPB027N10N3GATMA1CT-ND99701Cut Tape

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPB027N10N3GATMA1.

IHS

Datasheet9 pagine15 anni fa

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-9.09%
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Supply Chain

Country of OriginMalaysia, Mexico, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Parti correlate

InfineonIPB042N10N3GATMA1
214KW 20V 88nC@ 10V 1N 100V 7.4m¦¸@ 6V,4.2m¦¸@ 10V 6.32nF@ 50V TO-263 , 10mm*925cm*4.5mm
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VishaySQM120N10-3M8_GE3
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Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPB027N10N3GATMA1 fornite dai suoi distributori.

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
EBV Elektronik
N-CHANNEL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY SWITCHING WITH 175 DEGREE CELSIUS
RS (Formerly Allied Electronics)
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.7V; Power Dissipation:300W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB027N10N3GATMA1.
Newark
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon

Immagini

Farnell
Newark
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
Future Electronics
UTSource
LZChips

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPB027N10N3 G
  • IPB027N10N3-G
  • IPB027N10N3G
  • IPB027N10N3GATMA1.
  • SP000506508