Vishay SIRA52DP-T1-GE3
$ 0.892
NRND
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | SIRA52DP-T1-GE3 | 0 | 1 | 22h | ||||||||
| TTI | SIRA52DP-T1-GE3 | 0 | 6K | Tape & Reel | 10h | |||||||
| Avnet | SIRA52DP-T1-GE3 | 0 | 6K | 11h | ||||||||
| Future Electronics | SIRA52DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| TTI Europe | SIRA52DP-T1-GE3 | 0 | 6K | Tape & Reel | 12h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.63%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIRA52DP-T1-GE3.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-07-19
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
VishaySIJA52DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 / N-Channel 40 V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
InfineonBSC059N04LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 73 A, 0.0049 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
InfineonIPB70N04S406ATMA1
40V, N-Ch, 6.2 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIRA52DP-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
N-Channel 40 V 1.7 mOhm 48 W TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
40V 60A 1.7m´Î@10V15A 48W 2.4V@250Ã×A N Channel PowerPAK SO-8 MOSFETs ROHS
N-Channel 40-V (D-S) Mosfet |Vishay SIRA52DP-T1-GE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.63%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Resistance1.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Input Capacitance7.15 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max1.7 mΩ
Schedule B8541290080
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIRA52DP-T1-GE3.