Vishay SIR882DP-T1-GE3

SiR882DP Series 100 V 8.7 mOhm SMT N-Channel Mosfet - PowerPAK® SO-8
$ 1.24
NRND
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsSIR882DP-T1-GE330003K
VericalSIR882DP-T1-GE330003K
DigiKey
3
SIR882DP-T1-GE3CT-ND12.8101Cut Tape
TTISIR882DP-T1-GE360003KTape & Reel
1d
TME
2
SIR882DP-T1-GE303K
11h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIR882DP-T1-GE3.

Farnell

Datasheet13 pagine11 anni fa
Datasheet13 pagine11 anni fa

element14 APAC

Newark

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+60.26%
Powered bySpectra logo

Modelli CAD

Scarica il simbolo Vishay SIR882DP-T1-GE3, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
3DScarica
Ultra Librarian
SimboloImpronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-07
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

VishaySIR882ADP-T1-GE3
Single N-Channel 100V 0.0087 Ohm Medium Voltage ThunderFET® Mosfet PowerPAK-SO-8
Dettagli
VishaySIR804DP-T1-GE3
MOSFET,N CH,W DIODE,100V,60A,PPAK8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Dettagli
VishaySIR880ADP-T1-GE3
N-Channel 80 V 8.9 mOhm 83 W SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Dettagli
InfineonAUIRLR3110Z
AUIRLR3110Z N-channel MOSFET Transistor, 63 A, 100 V, 3-Pin TO-252AA
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Vishay SIR882DP-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.

SiR882DP Series 100 V 8.7 mOhm SMT N-Channel Mosfet - PowerPAK® SO-8
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 100V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Avnet
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
DigiKey
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.0087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
5.4W(Ta),83W(Tc) 20V 2.8V@ 250¦ÌA 58nC@ 10 V 1N 100V 8.7m¦¸@ 20A,10V 60A 1.93nF@50V 4.9mm*5.89mm*1.07mm
UnikeyIC
MOSFET,N CH,DIODE,100V,60A,PPAKSO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):7100µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:5.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:17.6A; Power Dissipation Pd:5.4W; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Immagini

Farnell
element14 APAC
Newark
Future Electronics

Alias del produttore

Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric