Vishay SIR424DP-T1-GE3
$ 0.465
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SIR424DP-T1-GE3 | 12.377 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SIR424DP-T1-GE3 | 3000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | SIR424DP-T1-GE3 | 3000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | SIR424DP-T1-GE3CT-ND | 9591 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIR424DP-T1-GE3 | 6000 | 3K | Tape & Reel | 22h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -8.70%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIR424DP-T1-GE3.
Modelli CAD
Scarica il simbolo Vishay SIR424DP-T1-GE3, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | 3D | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
VishaySIR496DP-T1-GE3
SIR496DP-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 26 A, 20 V, 8-PIN POWERPAK SO
InfineonBSC050NE2LSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 58 A, 0.0042 ohm, TDSON, Surface Mount
InfineonBSC024NE2LSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 100 A, 0.002 ohm, TDSON, Surface Mount
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIR424DP-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
SiR172DP Series N-Channel 20 V 0.0074 Ohm 41.7 W SMT Mosfet - PowerPAK® SO-8
SIR424DP-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 23 A, 20 V, 8-PIN POWERPAK SO
Trans MOSFET N-CH 20V 23.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Power Field-Effect Transistor, 23.4A I(D), 20V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Vishay NMOS, Vds=20 V, 30 A, PowerPAK SO-8
N-Ch PowerPAK SO-8 BWL 20V 5.5 mohm@10V
MOSFET, N-CH, 20V, 30A, POWERPAK SO; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.0046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Power Dissipation Pd: 41.7W; Transistor Case Style: PowerPAK SO; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: TrenchFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -8.70%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)23.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance5.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation41.7 W
Manufacturer Package IdentifierS17-0173-Single
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation4.8 W
Rds On Max5.5 mΩ
Resistance7.4 MΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIR424DP-T1-GE3.
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità