Vishay SIR414DP-T1-GE3
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INFINEON IRLHM630TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 30 V, 2.8 mohm, 4.5 V, 800 mV
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIR414DP-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
MOSFET, N CH, 40V, 50A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
Single N-Channel 40 V 0.0028 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPak-SO-8
5.4W(Ta),83W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 117nC@ 10 V 1N 40V 2.8m¦¸@ 20A,10V 50A 4.75nF@20V SO
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N CH, 40V, 50A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:-
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.71%
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Drain to Source Resistance3.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.75 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5.4 W
Rds On Max2.8 mΩ
Resistance2.8 mΩ
Rise Time22 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time33 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità