Vishay SIHFR9110TR-GE3
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta |
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
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$ 0.691
Stock
6,568
130,556
Authorized Distributors
1
6
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
-
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
-100 V
-
Continuous Drain Current (ID)
3.1 A
3.1 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
1.2 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
-
200 pF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-07-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIHFR9110TR-GE3 fornite dai suoi distributori.
Transistor Mosfet P-ch 100V 3.1A 3-PIN TO-252 T/r
MOSFET P-CHANNEL 100V
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
P-CH SINGLE -100V TO252
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Schede tecniche e documenti
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