Vishay SIHD6N62E-GE3
$ 0.89
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | SIHD6N62E-GE3 | 0 | 1 | 18h | ||||||||
| Avnet | SIHD6N62E-GE3 | 0 | 3K | 3d | ||||||||
| Future Electronics | SIHD6N62E-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| TTI Asia | SIHD6N62E-GE3 | Contatto | 12h | |||||||||
| TTI Europe | SIHD6N62E-GE3 | 0 | 3K | Tube | 1d |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIHD6N62E-GE3.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
InfineonSPD06N60C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
InfineonIPD50R650CEAUMA1
Mosfet Transistor, N Channel, 6.1 A, 500 V, 0.59 Ohm, 13 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTD11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
onsemiNDD60N745U1T4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 6.6A Tc 6.6A 84W Tc 600V
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIHD6N62E-GE3 fornite dai suoi distributori.
78W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 620V 900m¦¸@ 3A,10V 6A 578pF@100V TO-252AA 2.38mm
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 620V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 620V, 6A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: 620V; On Resistance Rds(on): 0.78ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: -; Power
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Resistance900 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance578 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation78 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Rds On Max900 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIHD6N62E-GE3.
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità