Vishay SIHB30N60E-GE3

MOSFET, N CH, 600V, 29A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain
$ 3.535
Production
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
DigiKeySIHB30N60E-GE3-ND4481Tube
TME
2
SIHB30N60E-GE301K
15h
TTISIHB30N60E-GE301KTube
3d
Future ElectronicsSIHB30N60E-GE3050Tube
AvnetSIHB30N60E-GE301K
2d

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIHB30N60E-GE3.

Upverter

Datasheet9 pagine5 anni fa
Technical Drawing1 pagina21 anni fa

Farnell

Newark

element14 APAC

Future Electronics

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+37.28%
Powered bySpectra logo

Modelli CAD

Scarica il simbolo Vishay SIHB30N60E-GE3, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
EE Concierge
SimboloImpronta
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-01-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

onsemiFCB36N60NTM
N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600V, 25A, 125mΩ, D2PAK
Dettagli
VishaySIHB24N65E-GE3
E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Dettagli
VishaySIHB24N65E-E3
MOSFET, N CH, 650V, 24A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Dettagli
VishaySIHB22N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Dettagli
STMicroelectronicsSTB34NM60ND
N-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) D2PAK
Dettagli
STMicroelectronicsSTB36NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK / N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Vishay SIHB30N60E-GE3 fornite dai suoi distributori.

MOSFET, N CH, 600V, 29A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Newark
E-Series N-Channel 600 V 0.125 Ohm 130 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Verical
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N CH, 600V, 29A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.104ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Voltage Vgs Max:30V
Farnell

Immagini

Vishay
Farnell
Farnell
Future Electronics
RS
UTSource

Alias del produttore

Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • SIHB30N60EGE3