Vishay SIHB12N65E-GE3
$ 1.41
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SIHB12N65E-GE3-ND | 3316 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | SIHB12N65E-GE3 | 0 | 1 | 21h | ||||||||
| TTI | SIHB12N65E-GE3 | 0 | 1K | Tube | 36m | |||||||
| Newark | SIHB12N65E-GE3 | 0 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | SIHB12N65E-GE3 | 0 | 50 | Tube |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +6.17%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTB13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIHB12N65E-GE3 fornite dai suoi distributori.
E Series N-Channel 650 V 380 mO 35 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 650V, 12A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.33ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: -; Powe
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +6.17%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage700 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.224 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation156 W
Rds On Max380 mΩ
Rise Time19 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità