Vishay SI9435BDY-T1-E3
$ 0.897
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CoreStaff | ST20598456 | 1263 | 1 | 17h | ||||||||
| Avnet | SI9435BDY-T1-E3 | 2500 | 2500 | 1d | ||||||||
| Arrow Electronics | SI9435BDY-T1-E3 | 16 | 1 | |||||||||
| TTI | SI9435BDY-T1-E3. | 2070 | 10 | Cut Tape | 1h | |||||||
| Newark | SI9435BDY-T1-E3 | 0 | 1 | Tape & Reel |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -44.01%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Modelli CAD
Scarica il simbolo Vishay SI9435BDY-T1-E3, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.897
$ 0.493
Stock
330,337
97,525
Authorized Distributors
6
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
4.1 A
4.1 A
Threshold Voltage
-1 V
-3 V
Rds On Max
42 mΩ
42 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.3 W
1.3 W
Input Capacitance
-
-
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-06-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-30
LTD Date2025-08-13
Parti correlate
VishaySI4936CDY-T1-GE3
Dual N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.3 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.ZXMHC3F381N8TC
ZXMHC3 Series 30 V 33 mOhm 2N/2P-Ch. H-Bridge Enhancement Mode MOSFET - SOIC-8
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI9435BDY-T1-E3 fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R
Single P-Channel 30 V 0.042 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
MOSFET Devices; VISHAY; SI9435BDY-T1-E3; -30 V; 4.1 A; 20 V; 1.3 W
P-CH MOSFET SO-8 30V 42MOHM @ 10V<AZ
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 30V, 0.042ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-Channel MOSFETs 30V 5.7A 0.042Ohm
场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 2.5W;
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-30V; Continuous Drain Current, Id:-5.7A; On Resistance, Rds(on):42mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:SO-8 ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -44.01%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.1 A
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max42 mΩ
Resistance42 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height1.55 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità