Vishay SI7439DP-T1-GE3
$ 2.188
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI7439DP-T1-GE3CT-ND | 830 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | SI7439DP-T1-GE3 | 35 | 1 | |||||||||
| Verical | SI7439DP-T1-GE3 | 35 | 4 | |||||||||
| Rutronik | TMOSP11587 | 6000 | 3K | 22h | ||||||||
| TTI | SI7439DP-T1-GE3 | 30.000 | 3K | Tape & Reel | 17h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.53%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI7439DP-T1-GE3.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | Scarica | |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | 3D | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 2.188
$ 2.189
Stock
285,666
264,835
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
-150 V
-150 V
Continuous Drain Current (ID)
3 A
3 A
Threshold Voltage
-4 V
-4 V
Rds On Max
90 mΩ
90 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.9 W
1.9 W
Input Capacitance
-
-
Supply Chain
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-08-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Parti correlate
VishaySI4848DY-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 2.7 A, 85 MilliOhms, NSOIC, 8 Pins, Surface Mount
InfineonIRF7451TRPBF
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A) | MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI7439DP-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R / MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Power MOSFET, P Channel, 150 V, 5.2 A, 0.073 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:150V; Continuous Drain Current Id:5.2A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:6V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:1.9W; No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: No
MOSFET,P CH,DIODE,150V,5.2A,SO8 PPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.2A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):0.073ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:5.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-5.2A; Power Dissipation Pd:5.4W; Voltage Vgs Max:-20V
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.53%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-150 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5.4 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max90 mΩ
Resistance90 mΩ
Rise Time46 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time115 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI7439DP-T1-GE3.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità