Vishay SI7216DN-T1-GE3
$ 0.752
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI7216DN-T1-GE3 | 3249 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | SI7216DN-T1-GE3 | 1 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | SI7216DN-T1-GE3 | 3000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | SI7216DN-T1-GE3CT-ND | 3496 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI7216DN-T1-GE3 | 0 | 3K | 7h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -4.16%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI7216DN-T1-GE3.
Modelli CAD
Scarica il simbolo Vishay SI7216DN-T1-GE3, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.752
$ 0.752
Stock
265,983
313,380
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
6.5 A
6.5 A
Threshold Voltage
3 V
3 V
Rds On Max
32 mΩ
32 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
670 pF
670 pF
Supply Chain
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
VishaySI4936BDY-T1-E3
SI4936BDY-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Transistor; 5.9 A; 30 V; 8-Pin SOIC
VishaySI4286DY-T1-GE3
SI4286DY-T1-GE3 DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7 A, 40 V, 8-PIN SOIC
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI7216DN-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Dual N-Channel 40 V 0.039 Ohm Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
2.5W 20V 3V@ 250¦ÌA 19nC@ 10V 2N 40V 32m¦¸@ 5A,10V 6A 670pF@20V 1212 3.05mm*3.05mm*1.07mm
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 40V, 0.032ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 6A; Transist; DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 6A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:6.5A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:40V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -4.16%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance32 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationDual
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance670 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20.8 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max32 mΩ
Resistance39 mΩ
Rise Time57 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.05 mm
Width3.05 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI7216DN-T1-GE3.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità