Vishay SI4559ADY-T1-GE3
$ 0.668
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TTI | SI4559ADY-T1-GE3. | 2275 | 25 | Cut Tape | 21h | |||||||
| Newark | SI4559ADY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Conrad | 3026482 | 24 | 1h | |||||||||
| TTI Asia | SI4559ADY-T1-GE3 | Contatto | 10h | |||||||||
| TTI Europe | SI4559ADY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 22h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -52.37%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI4559ADY-T1-GE3.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | 3D | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.668
$ 2.15
Stock
1,077,538
253,586
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SO
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
4.3 A
4.3 A
Threshold Voltage
-
1 V
Rds On Max
58 mΩ
58 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
665 pF
665 pF
Supply Chain
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-01-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMN6066SSD-13
DMN6066SSD Series 60 V 66 mOhm Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
VishaySI9407BDY-T1-GE3
SI9407BDY Series 60 V 0.12 Ohm 22 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMN6066SSS-13
DMN6066 Series N-Channel 60 V 66 mOhm SMT Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.ZXMC6A09DN8TA
N & P Channel 60 V 5.1 A 2.1 W Surface Mount Complementary Mosfet - SOIC-8
InfineonBSO615CGHUMA1
Dual Mosfet, N And P Channel, 3.1 A, 60 V, 0.07 Ohm, 10 V, 1.6 V Rohs Compliant: Yes
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI4559ADY-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Si4559ADY Series 60 V 5.3A/3.9A 665 pF N/P-Channel Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R
MOSFET, N-CH/P-CH, VDS 60V, VGS +/- 20V, RDS(ON) 46MOHM, ID 4.5A, SO-8, PD 3.4W
MOSFET, DUAL, COMPLEMENT, 60V, 4.5A/SOIC; Available until stocks are exhausted Alternative available
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 0.058ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
NPN/PNP MOSFET, 60V, SOIC, FULL REEL; Channel Type:N and P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:60V; Drain Source Voltage Vds P Channel:60V; Continuous Drain Current Id N Channel:5.3A; No. of Pins:8Pins; Product Range:- RoHS Compliant: No
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -52.37%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSO
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance58 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance665 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.4 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max58 mΩ
Resistance58 MΩ
Rise Time70 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI4559ADY-T1-GE3.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità