Vishay SI4156DY-T1-GE3

Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
$ 0.465
Production
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Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI4156DY-T1-GE3.

Newark

Datasheet9 pagine9 anni fa
Datasheet10 pagine10 anni fa
Datasheet10 pagine12 anni fa

IHS

Farnell

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+6.26%

Modelli CAD

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Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Parti correlate

InfineonIRF8113TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
InfineonIRF8113PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
InfineonIRF8736TRPBF
Single N-Channel 30 V 4.8 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
onsemiFDS8813NZ
N-Channel 30 V 4.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Single N-Channel 30 V 0.0032 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
SiR472DP Series N-Channel 30 V 0.012 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK-SO-8

Descrizioni

Descrizioni di Vishay SI4156DY-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.

Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A 8-Pin SOIC N T/R
MOSFET Devices; VISHAY; SI4156DY-T1-GE3; 30 V; 24 A; 20 V; 2.5 W
2.5W(Ta),6W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 42nC@ 10 V 1N 30V 6m¦¸@ 15.7A,10V 24A 1.7nF@15V SOIC-8 4.9mm*3.9mm*1.75mm
Small Signal Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:24A; On Resistance Rds(On):0.0048Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:2.2V; Threshold Voltage Vgs:2.2V Rohs Compliant: Yes
MOSFET,N CH,30V,24A,8-SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.2V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:15.7A; Power Dissipation Pd:2.5W; Voltage Vgs Max:20V

Alias del produttore

Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • SI4156DY-T1-GE3.