Vishay SI4116DY-T1-GE3

N-Channel 25 V 0.0086 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
$ 0.591
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Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI4116DY-T1-GE3.

Newark

Datasheet9 pagine9 anni fa
Datasheet10 pagine10 anni fa
Datasheet10 pagine11 anni fa

element14 APAC

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-15.36%

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Parti alternative

Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.591
$ 0.57
Stock
392,134
182,858
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
12.7 A
12.7 A
Threshold Voltage
600 mV
-
Rds On Max
8.6 mΩ
8.6 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
-
2.5 W
Input Capacitance
1.925 nF
1.925 nF

Supply Chain

Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Parti correlate

SI4666DY-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 16.5 A; 25 V; 8-Pin SOIC
InfineonIRF7425TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 8.2 Milliohms;ID -15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-1
InfineonIRF7425PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 8.2 Milliohms;ID -15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-1
InfineonIRF7456PBF
Transistor MOSFET N Channel 20 Volt 16 Amp 8-Pin SOIC
onsemiFDS7764A
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
onsemiFDS6670A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 13A, 8mΩ

Descrizioni

Descrizioni di Vishay SI4116DY-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.

N-Channel 25 V 0.0086 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R / MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:18000mA; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):0.0115ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.4V; Power Dissipation, Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N CH, 25V, 18A, 8SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):7.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:18A; Power Dissipation Pd:5W; Voltage Vgs Max:12V

Alias del produttore

Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • SI4116DYT1GE3