Vishay SI3900DV-T1-GE3
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Stock
307,740
1,018,208
Authorized Distributors
2
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TSOP
TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
2 A
2 A
Threshold Voltage
-
600 mV
Rds On Max
125 mΩ
125 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
830 mW
830 mW
Input Capacitance
-
-
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-12-21
LTD Date2025-06-21
Parti correlate
InfineonIRF5851TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP / Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.7A/2.2A 6-Pin TSOP T/R
VishaySI3585CDV-T1-GE3
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R / MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
InfineonBSL214N L6327
MOSFET, N-CH, DUA,L 20V, 1.5A, 6TSOP; Transistor Polarity:Dual N Channel; Contin
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI3900DV-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
SI3900DV-T1-GE3 DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2 A, 20 V, 6-PIN TSOP
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 2A 6-Pin TSOP T/R
1.15W 12V 1.5V@ 250¦ÌA 4nC@ 4.5V 2N 20V 125m¦¸@ 2.4A,4.5V 2A TSOP-6 1.7mm*1mm
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.125ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193C
Transistor; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current, Id:2.4A; Drain Source Voltage, Vds:20V; On Resistance, Rds(on):0.125ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.5V ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight19.986414 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation830 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation830 mW
Rds On Max125 mΩ
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità