Vishay SI3590DV-T1-E3
$ 0.897
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI3590DV-T1-E3CT-ND | 9 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | SI3590DV-T1-E3 | 0 | 3K | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SI3590DV-T1-E3 | 0 | 3K | 2d | ||||||||
| TTI Asia | SI3590DV-T1-E3 | Contatto | 1d | |||||||||
| TTI Europe | SI3590DV-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 1d |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.97%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI3590DV-T1-E3.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.897
$ 0.53
Stock
948,388
1,942,345
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TSOP
TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
2.5 A
2.5 A
Threshold Voltage
-
1.5 V
Rds On Max
77 mΩ
77 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
830 mW
830 mW
Input Capacitance
-
-
Supply Chain
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13
Parti correlate
NXP SemiconductorsPMN49EN,135
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI3590DV-T1-E3 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R / MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Dual N / P -Channel 30 V 0.077/0.17 Ohm Surface Mount Power MosFet - TSOP-6
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N & P CH, 30V, 2.5A, TSOP; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 2.5A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.062ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs
Channel Type:N and P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:30V; Drain Source Voltage Vds P Channel:30V; Continuous Drain Current Id N Channel:2.5A; Continuous Drain Current Id P Channel:1.7A; No. of Pins:6Pins; Product Range:- RoHS Compliant: No
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.97%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight19.986414 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance77 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation830 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs600 mV
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation830 mW
Rds On Max77 mΩ
Resistance170 MΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.05 mm
Width1.65 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI3590DV-T1-E3.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità