Vishay SI3440DV-T1-E3
$ 0.571
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | SI3440DV-T1-E3 | 63 | 1 | |||||||||
| Verical | SI3440DV-T1-E3 | 6000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | SI3440DV-T1-E3 | 3000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| TME | SI3440DV-T1-E3 | 0 | 3K | 13h | ||||||||
| TTI Asia | SI3440DV-T1-E3 | Contatto | 2h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -98.50%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI3440DV-T1-E3.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.571
$ 0.392
Stock
466,015
1,149,769
Authorized Distributors
6
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TSOP
TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
1.2 A
1.2 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
375 mΩ
375 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.14 W
1.14 W
Input Capacitance
-
-
Supply Chain
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-12-21
LTD Date2025-06-21
Parti correlate
VishaySI3437DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP / Trans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R
InfineonBSL316C L6327
MOSFET N/P-CH 30V, 6TSOP; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI3440DV-T1-E3 fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 150 V 0.375 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 150V, 0.375ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193C
N CHANNEL MOSFET, 150V, 1.5A, TSOP; Tran; N CHANNEL MOSFET, 150V, 1.5A, TSOP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):400mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:6
Mosfet, N Channel, 150V, 1.2A, Tsop-6, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:150V; Continuous Drain Current Id:1.2A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:1.14W Rohs Compliant: No |Vishay SI3440DV-T1-E3.
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
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Modelli CAD
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1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTSOP
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight19.986414 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance375 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.14 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.14 W
Rds On Max375 mΩ
Resistance375 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.05 mm
Width1.65 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI3440DV-T1-E3.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità