Vishay SI2343DS-T1-GE3
$ 0.236
Obsolete
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -29.73%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.236
$ 0.647
Stock
132,820
144,923
Authorized Distributors
5
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
3.1 A
3.1 A
Threshold Voltage
-3 V
-1 V
Rds On Max
53 mΩ
53 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
750 mW
750 mW
Input Capacitance
540 pF
540 pF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-12-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-03
LTD Date2025-05-03
Parti correlate
Diodes Inc.ZXMN3A14FTA
ZXMN3A14 Series 30 V 0.065 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
Diodes Inc.DMP3160L-7
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Diodes Inc.ZXMN3B14FTA
N-Channel 30 V 0.08 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-23
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI2343DS-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Single P-Channel 30 V 0.053 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-236 (SOT-23)
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
30V 3.1A 53m´Î@10V4A 750mW 3V@250Ã×A P Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 30V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236; Tran; P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):53mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236; Chan; P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236; Channel Type: P Channel; Drain Source Voltage Vds: 30V; Continuous Drain Current Id: ; Available until stocks are exhausted Alternative available
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -29.73%
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1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance53 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance540 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation750 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation750 mW
Rds On Max53 mΩ
Resistance53 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI2343DS-T1-GE3.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità